Vacuum Deposition Recipes: Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
Content deleted Content added
| Line 787: | Line 787: | ||
==Thermal Evaporation== |
==Thermal Evaporation== |
||
==Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)== |
== Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) == |
||
=== SiN deposition === |
|||
#'''Clean''' (30CLN_SN) |
|||
##Initial t=10", p=2x10-2, T=250C |
|||
##N2 Purge t=30", p=300mT |
|||
##evacuate, base pressure=2x10-2, t=10" |
|||
##loop |
|||
##gas stabilization, t=30" |
|||
##etch chamber, t=30' |
|||
##evacuate, t=10" |
|||
##N2 purge |
|||
##evacuate |
|||
##loop |
|||
##SiN gas stabilization |
|||
##SiN deposition( 200A coat) |
|||
##evacuate |
|||
##N2purge, t=30" |
|||
##end |
|||
#'''SiN deposition''' (SiN_10) 130.8 A/min |
|||
##Initial t=10" |
|||
##N2 purge t=30" |
|||
##evacuate, t=10" |
|||
##loop |
|||
##SiN gas stabilization, t=30" |
|||
##SiN deposition t=8'11.2" |
|||
##evacuate, t=10" |
|||
##N2 purge t=30" |
|||
##evacuate t=10" |
|||
##loop |
|||
==Atomic Layer Deposition (ALD)== |
==Atomic Layer Deposition (ALD)== |
||
Revision as of 20:08, 9 July 2012
This table can be used to help located the needed recipe.
Vacuum Deposition Recipes
| |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| E-Beam Evaporation | Sputtering | Thermal Evaporation | Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) |
Atomic Layer Deposition | Ion-Beam Deposition (IBD) | Molecular Vapor Deposition | |||||||||||
| Material | E-Beam 1 (Sharon) | E-Beam 2 (Custom) | E-Beam 3 (Temescal) | E-Beam 4 (CHA) | Sputter 1 (Custom) | Sputter 2 (SFI Endeavor) |
Sputter 3 | Sputter 4 | Sputter 5 (Lesker AXXIS) | Thermal 1 | Thermal 2 | PECVD 1 (PlasmaTherm 790) |
PECVD 2 (Advanced Vacuum) |
Unaxis VLR ICP-PECVD | |||
| Ag | Y | ||||||||||||||||
| Al | |||||||||||||||||
| Al2O3 | |||||||||||||||||
| AlN | |||||||||||||||||
| Au | |||||||||||||||||
| B | |||||||||||||||||
| Co | |||||||||||||||||
| Cr | |||||||||||||||||
| Cu | |||||||||||||||||
| Fe | |||||||||||||||||
| Ge | |||||||||||||||||
| Hf | |||||||||||||||||
| HfO2 | |||||||||||||||||
| In | |||||||||||||||||
| Ir | |||||||||||||||||
| ITO | |||||||||||||||||
| Mo | |||||||||||||||||
| Bn | |||||||||||||||||
| Ni | |||||||||||||||||
| Pd | |||||||||||||||||
| Pt | |||||||||||||||||
| Ru | |||||||||||||||||
| Si | |||||||||||||||||
| SiN | |||||||||||||||||
| SiO2 | |||||||||||||||||
| SiOxNy | |||||||||||||||||
| Sn | |||||||||||||||||
| SrF2 | |||||||||||||||||
| Ta | |||||||||||||||||
| Ta2O5 | |||||||||||||||||
| Ti | |||||||||||||||||
| TiN | |||||||||||||||||
| TiO2 | |||||||||||||||||
| V | |||||||||||||||||
| W | |||||||||||||||||
| Zn | |||||||||||||||||
| ZnO2 | |||||||||||||||||
| Zr | |||||||||||||||||
| ZrO2 | |||||||||||||||||
Recipes
E-Beam Evaporation
Recipe 1
- Step 1 ....
- Step 2...
Recipe 2
Sputtering
Thermal Evaporation
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
SiN deposition
- Clean (30CLN_SN)
- Initial t=10", p=2x10-2, T=250C
- N2 Purge t=30", p=300mT
- evacuate, base pressure=2x10-2, t=10"
- loop
- gas stabilization, t=30"
- etch chamber, t=30'
- evacuate, t=10"
- N2 purge
- evacuate
- loop
- SiN gas stabilization
- SiN deposition( 200A coat)
- evacuate
- N2purge, t=30"
- end
- SiN deposition (SiN_10) 130.8 A/min
- Initial t=10"
- N2 purge t=30"
- evacuate, t=10"
- loop
- SiN gas stabilization, t=30"
- SiN deposition t=8'11.2"
- evacuate, t=10"
- N2 purge t=30"
- evacuate t=10"
- loop