Dry Etching Recipes: Difference between revisions
Jump to navigation
Jump to search
No edit summary |
No edit summary |
||
| Line 202: | Line 202: | ||
| |
| |
||
|- |
|- |
||
! bgcolor="#D0E7FF" align="center" | |
! bgcolor="#D0E7FF" align="center" | ITO |
||
| |
| |
||
| {{rl|RIE Etching Recipes|ITO Etch (RIE 2)}} |
| {{rl|RIE Etching Recipes|ITO Etch (RIE 2)}} |
||
| Line 231: | Line 231: | ||
| |
| |
||
| |
| |
||
| |
|||
| |
|||
|- |
|- |
||
! bgcolor="#D0E7FF" align="center" | SiN |
! bgcolor="#D0E7FF" align="center" | SiN |
||
Revision as of 23:53, 28 January 2014
- R = Recipe is available. Clicking this link will take you to the recipe.
- A = Material is available for use, but no recipes are provided.
Dry Etching Recipes
| ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RIE Etching | ICP Etching | Oxygen Plasma Systems | Other Dry Etchers | |||||||||||
| Material | RIE 1 (Custom) |
RIE 2 (MRC) |
RIE 3 (MRC) |
RIE 5 (PlasmaTherm) |
Si Deep RIE (PlasmaTherm/Bosch Etch) |
ICP Etch 1 (Panasonic E626I) |
ICP Etch 2 (Panasonic E640) |
ICP-Etch (Unaxis VLR) |
Ashers (Technics PEII) |
Plasma Clean (Gasonics 2000) |
UV Ozone Reactor | Plasma Activation (EVG 810) |
XeF2 Etch (Xetch) |
Vapor HF Etch (uETCH) |
| Al | R1 | R1 | ||||||||||||
| Ti | R1 | A | ||||||||||||
| Cr | A | R1 | A | |||||||||||
| Ge | ||||||||||||||
| Ag | ||||||||||||||
| Ru | ||||||||||||||
| Mo | ||||||||||||||
| Ta | ||||||||||||||
| W-TiW | R1 | A | ||||||||||||
| Al2O3 | ||||||||||||||
| HfO2 | ||||||||||||||
| ITO | R1 | |||||||||||||
| SiO2 | R1 | R1 | ||||||||||||
| SiN | R1 | R1 | ||||||||||||
| SiOxNy | ||||||||||||||
| Ta2O5 | ||||||||||||||
| TiO2 | ||||||||||||||
| TiN | ||||||||||||||
| ZnO2 | ||||||||||||||
| ZrO2 | ||||||||||||||
| GaAs | R1 | R1 | R1 | R1 | ||||||||||
| AlGaAs | R1 | R1 | R1 | |||||||||||
| InGaAlAs | R1 | R1 | ||||||||||||
| InGaAsP | R1 | |||||||||||||
| InP | R1 | R1 | ||||||||||||
| GaN | R1 | R1 | R1 | |||||||||||
| AlGaN | ||||||||||||||
| AlN | ||||||||||||||
| GaN | ||||||||||||||
| AlGaN | ||||||||||||||
| AlN | ||||||||||||||
| GaSb | ||||||||||||||
| CdZnTe | R1 | |||||||||||||
| ZnSe | ||||||||||||||
| Si | R1 | R1 | ||||||||||||
| SiC | R1 | A | ||||||||||||
| Sapphire | R1 | A | ||||||||||||
| Material | RIE 1 (Custom) |
RIE 2 (MRC) |
RIE 3 (MRC) |
RIE 5 (PlasmaTherm) |
Si Deep RIE (PlasmaTherm/Bosch Etch) |
ICP Etch 1 (Panasonic E626I) |
ICP Etch 2 (Panasonic E640) |
ICP-Etch (Unaxis VLR) |
Ashers (Technics PEII) |
Plasma Clean (Gasonics 2000) |
UV Ozone Reactor | Plasma Activation (EVG 810) |
XeF2 Etch (Xetch) |
Vapor HF Etch (uETCH) |