Dry Etching Recipes
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Dry Etching Recipes
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RIE Etching | ICP Etching | Oxygen Plasma Systems | Other Dry Etchers | ||||||||||||
Material | RIE 1 (Custom) |
RIE 2 (MRC) |
RIE 3 (MRC) |
RIE 5 (PlasmaTherm) |
Si Deep RIE (PTI/Bosch) |
ICP Etch 1 (Panasonic 1) |
ICP Etch 2 (Panasonic 2) |
ICP-Etch (Unaxis VLR) |
Ashers (Technics PEII) |
Plasma Clean (Gasonics 2000) |
UV Ozone Reactor | Plasma Activation (EVG 810) |
XeF2 Etch (Xetch) |
Vapor HF Etch (uETCH) |
CAIBE (Oxford) |
Al | R1 | R1 | |||||||||||||
Ti | R1 | A | |||||||||||||
Cr | A | R1 | A | ||||||||||||
Ge | |||||||||||||||
Ag | |||||||||||||||
Ru | |||||||||||||||
Mo | |||||||||||||||
Ta | |||||||||||||||
W-TiW | R1 | A | |||||||||||||
Al2O3 | |||||||||||||||
HfO2 | |||||||||||||||
ITO | R1 | ||||||||||||||
SiO2 | R1 | R1 | R1 | ||||||||||||
SiN | R1 | R1 | |||||||||||||
SiOxNy | |||||||||||||||
Ta2O5 | |||||||||||||||
TiO2 | |||||||||||||||
TiN | |||||||||||||||
ZnO2 | |||||||||||||||
ZrO2 | |||||||||||||||
GaAs | R1 | R1 | R1 | R1 | |||||||||||
AlGaAs | R1 | R1 | R1 | ||||||||||||
InGaAlAs | R1 | R1 | |||||||||||||
InGaAsP | R1 | ||||||||||||||
InP | R1 | R1 | |||||||||||||
GaN | R1 | R1 | R1 | ||||||||||||
AlGaN | |||||||||||||||
AlN | |||||||||||||||
GaN | |||||||||||||||
AlGaN | |||||||||||||||
AlN | |||||||||||||||
GaSb | |||||||||||||||
CdZnTe | R1 | ||||||||||||||
ZnSe | |||||||||||||||
Si | R1 | R1 | |||||||||||||
SiC | R1 | A | |||||||||||||
Sapphire | R1 | A | |||||||||||||
Material | RIE 1 (Custom) |
RIE 2 (MRC) |
RIE 3 (MRC) |
RIE 5 (PlasmaTherm) |
Si Deep RIE (PlasmaTherm/Bosch Etch) |
ICP Etch 1 (Panasonic E626I) |
ICP Etch 2 (Panasonic E640) |
ICP-Etch (Unaxis VLR) |
Ashers (Technics PEII) |
Plasma Clean (Gasonics 2000) |
UV Ozone Reactor | Plasma Activation (EVG 810) |
XeF2 Etch (Xetch) |
Vapor HF Etch (uETCH) |
CAIBE (Oxford) |